[이지경제] 박효영 기자 = 삼성전자가 2020년까지 반도체 미세공정을 4나노미터(nm)로 낮추는 안을 발표했다.

삼성전자는 24일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 '삼성 파운드리 포럼'에서 이같은 로드맵을 공개하고 올해 8나노에 이어 7나노(2018년), 6·5나노(2019년), 4나노(2020년)까지 공정을 점차 세분화할 것이라고 밝혔다.

더불어 완전 공핍형 ‘FD-SOI(웨이퍼 위에 산화막을 형성해 소자에서 발생하는 누설 전류를 크게 줄여주는 기술)’ 공정을 새롭게 도입할 방침이다. 

FD-SOI는 핀펫(인텔을 필두로 삼성전자 TSMC 등이 도입 중인 3차원(3D) 입체 구조의 칩 설계 및 공정 기술)에 비해 제조 비용이 낮고 전력 소모율이 낮다.

삼성전자는 지난해 10월 업계 최초로 ‘10나노 공정’을 개발했고 지난 4월에는 10나노 2세대 공정도 완료했다. 현재 삼성전자는 앱 프로세서(AP) 엑시노스9과 퀄컴의 스냅드래곤 835에도 10나노 공법을 사용하고 있다.

삼성전자 반도체 사업 파트는 IoT(사물인터넷) 시대에 수많은 양의 데이터를 생성, 처리, 연결할 수 있도록 실리콘 반도체 기술을 적용한 칩의 성능 향상과 저전력 솔루션이 필수적이다.

윤종식 파운드리사업부 부사장은 "모든 기기가 연결되는 '초연결 시대'에서 반도체의 역할도 커지고 있다"며 "광범위한 첨단 공정 로드맵을 보유하고 있는 파운드리 파트너로서 고객들과 적극적인 협력관계 구축을 통해 최적의 맞춤형 솔루션을 제공할 것"이라고 밝혔다.

한편 시장조사기관 IHS마켓에 따르면 글로벌 파운드리 반도체 시장 규모는 지난해 569억달러에서 2020년 766억달러까지 증가할 것으로 예상된다. 삼성전자는 지난해 기준 세계 파운드리 시장점유율 4위(7.9%)를 기록했다. 

박효영 기자 edunalist@ezyeconomy.com