[이지경제] 이민섭 기자 = 삼성전자가 업계 최초로 12단 3D-TSV(3차원 실리콘 관통전극)‘기술을 개발했다고 7일 밝혔다.

삼성전자에 따르면 12단 3D-TSV는 기존 금선을 이용해 칩을 연결하는 대신 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의 20분의 1 수준인 수 마이크로미터 직경의 전자 이동 통로를 6만개 만들어 오차 없이 연결이 가능한 첨단 패키징 기술이다.

이번에 개발한 기술은 종이의 절반 이하 두께로 가공한 D램 칩 12개를 적층해 수직으로 연결하는 고도의 정밀성을 필요로 하는 등 반도체 패키징 기술 중 가장 난이도가 높다. 3D-TSV는 기존 와이어 본딩 기술보다 칩들 간 신호를 주고받는 시간이 단축돼 속도와 소비전력을 개선할 수 있게됐다.

이번 기술 개발로 기존 8단 적층 HBM2 제품과 동일한 패키지 두께를 유지하고 12개의 D램칩을 적층해 고객들은 별도의 시스템 디자인 변경 없이 차세대 고용량 제품을 출시할 수 있게 됐다.

아울러 16GB D램 칩을 적용할 경우 업계 최대 용량인 24GB HBM 제품도 구현할 수 있다.

삼성은 고객 수요에 맞춰 12단 3D-TSV 기술을 적용한 고용량 HBM 제품을 적기에 공급해 프리미엄 반도체 시장을 지속 선도해 나간다는 계획이다.

백홍주 삼성전자 DS부문 TSP총괄 부사장은 “인공지능, 자율주행, HPC 등 다양한 응용처에서 고성능을 구현할 수 있는 첨단 패키징 기술이 중요해지고 있다”면서 “기술의 한계를 극복한 혁신적인 12단 3D-TSV 기술로 반도체 패키징 분야에서도 초격차 기술 리더십을 이어갈 것”이라고 말했다.

이민섭 기자 minseob0402@ezyeconomy.com