삼성전자, D램에 EUV 기술 최초 적용…고객사에 모듈 100만개 공급
삼성전자, D램에 EUV 기술 최초 적용…고객사에 모듈 100만개 공급
  • 이민섭 기자
  • 승인 2020.03.25 11:48
이 기사를 공유합니다

사진=삼성전자
사진=삼성전자

[이지경제] 이민섭 기자 = 삼성전자가 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대 10나노급 DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 공급해 고객 평가를 완료했다고 25일 밝혔다.

삼성전자에 따르면 EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄이고 패터닝 정확도를 높여 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있다.

삼성은 EUV 공정으로 14나노 초반대 ‘4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술’을 개발하고 있으며, 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 높인다는 예정이다.

삼성은 오는 2021년 성능과 용량을 높인 4세대 10나노급 D램을 양산하고 5~6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 강화해 나간다는 방침이다.

한편 삼성전자는 2021년부터 DDR5/LPDDR5 D램 시장 확대에 맞춰 글로벌 IT 고객과 기술협력을 강화하고 업체 간 표준화 활동을 추진해 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 높여나갈 예정이다. 또 올해 하반기 평택 신규 라인을 가동해 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산 체제를 구축할 계획이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다”며 “내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT시장이 지속 성장할 수 있도록 기여할 것”이라고 전했다.


이민섭 기자 minseob0402@ezyeconomy.com

  • 서울특별시 서초구 동광로 88, 4F(방배동, 부운빌딩)
  • 대표전화 : 02-596-7733
  • 팩스 : 02-522-7166
  • 청소년보호책임자 : 최민이
  • ISSN 2636-0039
  • 제호 : 이지경제
  • 신문사 : 이지뉴스
  • 등록번호 : 서울특별시 아01237
  • 등록일 : 2010-05-13
  • 발행일 : 2010-05-13
  • 대표이사·발행인 : 이용범
  • 편집인 : 이용범, 최민이
  • 편집국장 : 김성수
  • 이지경제 모든 콘텐츠(영상,기사, 사진)는 저작권법의 보호를 받은바, 무단 전재와 복사, 배포 등을 금합니다.
  • Copyright © 2024 이지경제. All rights reserved. mail to news@ezyeconomy.com
ND소프트