SK하이닉스, 현존 최고속 모바일D램 상용화
SK하이닉스, 현존 최고속 모바일D램 상용화
  • 정석규 기자
  • 승인 2023.10.25 14:30
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퀄컴 스냅드래곤 모바일 프로세서와 호환성 검증 완료
SK하이닉스의 D램 ‘LPDDR5T’. 사진=SK하이닉스

[이지경제=정석규 기자] SK하이닉스가 현존 모바일용 D램 최고속도인 9.6Gbps(기가비피에스)를 구현한 ‘LPDDR5T’의 상용화에 나섰다. SK하이닉스는 최근 LPDDR5T를 미국 퀄컴 테크놀로지(퀄컴)의 최신 스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼에 적용할 수 있다는 인증을 업계 최초로 받았다고 25일 밝혔다.

SK하이닉스는 지난 1월 LPDDR5T 개발을 완료한 직후부터 협력회사인 퀄컴과 호환성 검증작업을 진행해 왔다. 이를 통해 양사는 LPDDR5T와 퀄컴의 스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼이 결합된 스마트폰에서 두 제품 모두 기존 제품 대비 우수한 성능을 발휘한다는 결과를 도출했다.

SK하이닉스는 “글로벌 유력 통신칩 기업인 퀄컴을 비롯한 주요 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 기업들로부터 성능 검증을 마친 만큼 앞으로 LPDDR5T가 모바일 기기에 적용되는 범위는 급속히 넓어질 것”이라고 강조했다.

회사는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 만든 16GB(기가바이트) 용량 패키지 제품을 고객에게 공급할 예정이다. 이 패키지의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다. 또 LPDDR5T는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준 범위인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동해 전력 소모 측면에서도 효율적인 제품이다. 

SK하이닉스 기술진은 이 제품 개발 과정에서 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 이용해 속도와 전력 효율성에서 성능을 높일 수 있었다. HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정으로 속도를 빠르게 하면서도 소모전력을 줄일 수 있다. SK하이닉스는 지난해 11월 HKMG 공정을 모바일 D램에 세계 최초로 도입했다.

지아드 아즈가(Ziad Asghar) 퀄컴 수석 부사장은 “스냅드래곤8 3세대 제품은 생성형 인공지능(AI) 기반의 대규모 언어모델(LLM)과 대규모 시각 모델(LVM)을 저전력에서 지연 없이 구동시킨다”며 “스냅드래곤 모바일 플랫폼과 SK하이닉스의 최고속 모바일 D램이 결합해 스마트폰 사용자들이 놀라운 AI 기능을 경험할 수 있게 될 것”이라고 말했다.

류성수 SK하이닉스 DRAM상품기획담당(부사장)은 “LPDDR5T가 초고성능 모바일 D램에 대한 글로벌 고객들의 니즈를 충족시킨다는 점을 확인해 기쁘다”고 말했다. 이어 류 부사장은 “당사는 퀄컴과의 협력을 지속 강화해 이 분야 기술력을 높여가도록 노력하겠다”고 덧붙였다.


정석규 기자 news@ezyeconomy.com

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