[이지경제=김진이 기자] SK하이닉스가 현존 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다.

26일 SK하이스에 따르면 LPDDR5T는 회사가 지난해 11월 공개한 모바일 D램 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품이다. 

회사는 이번 신제품의 동작속도를 LPDDR5X 대비 13% 빨라진 9.6Gbps(초당 9.6 기가비트)까지 높였다. 이처럼 최고속도를 구현했다. 제품 이름에 ‘터보(Turbo)’를 붙인 것은 최고속도를 구현했다는 점을 강조하기 위한 것이라는 설명이다.

LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격이다. 전력 소모량의 최소화를 목적으로 하고 있어 저전압 동작 특성을 갖고 있다. 규격명에 LP(Low Power)가 붙는다.

SK하이스는 신제품이 속도와 초저전력 특성을 동시에 구현해낸 제품이라고 강조했다.  LPDDR5T는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동한다. 

실제로 SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16GB(기가바이트) 용량의 패키지 제품으로 만들어 샘플을 최근 고객에게 제공했다. 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 풀HD급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.

SK하이닉스는 “당사는 초당 8.5Gb 속도의 LPDDR5X를 내놓은 지 불과 두 달 만에 기술한계를 다시 한 번 돌파했다”며 “앞으로 이번 신제품을 기반으로 고객이 필요로 하는 다양한 용량의 제품을 공급해 모바일용 D램 시장의 주도권을 더욱 견고히 할 것”이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올 하반기부터 이 제품 양산에 들어갈 계획이다.

SK하이닉스는 LPDDR5X에 이어 이번 제품에도 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용했다. 이 기술은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정이다. 성능을 높이면서 소모 전력은 줄일 수 있다.

SK하이닉스는 다음 세대인 LPDDR6가 나오기 전까지는 기술력 격차를 획기적으로 벌린 LPDDR5T가 이 시장을 주도해 갈 것으로 봤다.

 SK하이닉스는 IT 업계에서 스펙이 고도화된 메모리 수요가 늘어날 것으로 보고, LPDDR5T의 활용 범위가 스마트폰뿐 아니라 AI(인공지능), 머신러닝, AR/VR(증강/가상 현실)까지 확대될 것으로 기대하고 있다.

류성수 SK하이닉스 부사장(DRAM상품기획담당)은 “이번 신제품 개발을 통해 초고속을 요구하는 고객 수요를 충족시키게 됐다”며 “앞으로도 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 IT 세상의 게임 체인저가 될 것”이라고 말했다. 

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