삼성· SK하이닉스, 차세대 메모리 신기술로 한번 더 점프
삼성· SK하이닉스, 차세대 메모리 신기술로 한번 더 점프
  • 윤현옥 기자
  • 승인 2022.08.03 10:59
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‘美 플래시메모리 서밋’서 차세대메모리 소개

삼성電, 저장용량 확 늘리고 안정적 운용 핵심
스마트폰용 UFS 4.0 메모리도 이달부터 양산

SK하이닉스, 현존 최고층 238단 낸드 플래시
세계 최초 238단 512Gb TLC, 내년 상반기 양산

[이지경제=윤현옥 기자] 삼성전자와 하이닉스가 차세대 메모리의 혁신기술로 또 한번 도약한다.

두 회사는 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2022(Flash Memory Summit)’에서 기조연설을 진행하며 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개하고 양산계획을 밝혔다.

‘플래시 메모리 서밋 2022(Flash Memory Summit)’은 매년 미국에서 개최되는 세계 최대 플래시 메모리 업계 콘퍼런스로 올해는 8월 2일부터 4일까지 사흘간 개최된다.

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삼성전자와 SK하이닉스가 '플래시 메모리 서밋'에서 차세대 메모리를 대거 공개했다. 사진=삼성전자

최진혁 삼성전자 메모리사업부 솔루션개발실 부사장은 이날 기조연설을 진행하며 차세대 메모리 솔루션의 중요성을 강조했다. 

최 부사장은 이 자리서 ▲서버 시스템의 공간 활용도를 높인 ‘페타바이트 스토리지(Petabyte storage)’, ▲인공지능(AI)ㆍ머신러닝(ML)에 최적화된 ‘메모리 시맨틱 SSD(Memory-Semantic SSD)’ ▲스토리지를 안정적으로 관리할 수 있는 ‘텔레메트리(Telemetry)’ 등 삼성전자의 차세대 메모리 솔루션을 소개했다.

페타바이트 스토리지는 저장용량이 획기적으로 향상돼 최소한의 서버로 방대한 양의 데이터를 처리해 고객들이 효율적으로 시스템을 구축할 수 있도록 지원한다.

삼성전자는 글로벌 기업들과 고용량 SSD의 다양한 폼팩터와 스택 구조 기술 개발을 협력하고 있으며, 이를 통해 페타바이트급의 스토리지 시스템 구현이 가능하다고 설명했다.

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삼성전자가 공개한 메모리 시맨틱 SSD. 사진=삼성전자

CXL 차세대 인터페이스 기반의 ‘메모리 시맨틱 SSD’도 공개했다. ‘메모리 시맨틱 SSD’는 AI, ML 등 작은 크기의 데이터를 많이 활용하는 분야에서 일반 SSD에 비해 읽기와 응답속도를 최대 20배까지 향상시킬 수 있어 최적의 솔루션이 될 것으로 예상된다.

삼성전자의 ‘텔레메트리’는 SSD가 사용되는 환경에서 발생할 수 있는 이상점을 사전에 감지해 리스크를 방지해주는 기술이다. 데이터의 폭발적인 증가 상황에서 데이터센터의 안정적 운용에 최적이다.

이날 삼성전자는 UFS 4.0 메모리를 이달부터 양산한다는 계획도 밝혔다.

지난 5월 업계 최초로 개발한 삼성전자 UFS 4.0 메모리는 고해상도 콘텐츠, 고용량 모바일 게임 등 신속한 대용량 처리가 필수인 플래그십 스마트폰의 핵심 솔루션이 될 것으로 기대되며, 향후 모빌리티, VRㆍAR 등 모든 컨슈머 디바이스 영역으로 적용을 확대해 나갈 계획이다.

최진혁 부사장은 “폭발적인 데이터 증가는 업계에 큰 도전이 되고 있으며, 이를 극복하기 위해서는 업계의 생태계 구축이 중요하다”며 “삼성전자는 데이터의 이동, 저장, 처리, 관리 각 분야에 맞는 혁신적인 반도체 솔루션을 통해 AI, ML, 고성능 컴퓨팅 등 다양한 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

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최정달 부사장이 기조연설에서 현존 최고층 238단 낸드 개발에 성공했다고 발표했다. 사진=SK하이닉스

SK하이닉스도 이날 신제품을 공개하며 현존 최고층 238단 낸드 개발에 성공했다고 발표했다.

행사 기조연설에 나선 최정달 SK하이닉스 부사장(NAND개발담당)은 “당사는 4D 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 원가, 성능, 품질 측면에서 글로벌 톱클래스 경쟁력을 확보했다”며 “앞으로도 기술 한계를 돌파하기 위해 혁신을 거듭해 나갈 것”이라고 강조했다.

SK하이닉스는 최근 238단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 샘플을 고객에게 출시했고, 내년 상반기 양산에 들어간다는 계획이다.

SK하이닉스는 “2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만에 차세대 기술개발에 성공했다”며 “특히 이번 238단 낸드는 최고층이면서도 세계에서 가장 작은 크기의 제품으로 구현됐다”고 밝혔다.

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SK하이닉스의 낸드 238단. 사진=SK하이닉스

SK하이닉스는 2018년 개발한 낸드 96단부터 기존 3D를 넘어선 4D 제품을 선보여왔다.

4차원 구조로 칩이 구현되는 4D를 만들기 위해 이 회사 기술진은 CTF(Charge Trap Flash)와 PUC(Peri Under Cell) 기술을 적용했다. 4D는 3D 대비 단위당 셀 면적이 줄어들면서도 생산효율은 높아지는 장점을 가진다.

이번 238단은 단수가 높아진 것은 물론, 세계 최소 사이즈로 만들어져 이전 세대인 176단 대비 생산성이 34% 높아졌다. 이전보다 단위 면적당 용량이 커진 칩이 웨이퍼당 더 많은 개수로 생산되기 때문이다.

이와 함께 238단의 데이터 전송 속도는 초당 2.4Gb로 이전 세대 대비 50% 빨라졌다. 또, 칩이 데이터를 읽을 때 쓰는 에너지 사용량이 21% 줄어, 전력소모 절감을 통해 ESG 측면에서 성과를 냈다고 회사는 보고 있다.

SK하이닉스는 PC 저장장치인 cSSD(client SSD)에 들어가는 238단 제품을 먼저 공급하고, 이후 스마트폰용과 서버용 고용량 SSD 등으로 제품 활용 범위를 넓혀간다는 계획이다. 이어 내년에는 현재의 512Gb보다 용량을 2배 높인 1Tb 제품도 선보일 예정이다.


윤현옥 기자 news@ezyeconomy.com

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